High-NA 지도의 다음 — 장비가 아니라 공정 세대로 본 시간표
앞서 High-NA EUV 도입 지도 글에서 High-NA의 공정 적용·양산 도입 시점을 축으로 4사의 시간표를 겹쳐 봤습니다 — 인텔은 18A 일부 층에 이미 쓰고, 삼성은 2028년 D램, TSMC는 2030년 양산 도입, 그리고 TSMC는 2029년 A13·A12까지 High-NA 없이 간다는 것까지. 이번 글은 시선을 1.4나노급(옹스트롬 세대) 공정 노드 자체로 옮깁니다. 9월 9일 대만 중부과학단지 관리국이 TSMC 팹25의 건설 일정이 6개월 빨라졌다고 밝히자 국내 보도는 '내년 1.4나노 생산'으로 옮겼는데, 팹의 시운전과 공정의 양산은 다른 일정이라 어느 쪽인지를 붙여야 뜻이 통합니다. 이 글은 TSMC A14, 삼성 SF1.4, 인텔 14A, 라피더스 1.4나노의 시간표를 회사 보도자료·실적 발표 전사본·공시·정부 기관 발표 보도·언론 보도·리서치 전망으로 수위를 나눠 정리합니다. 트랜지스터 구조의 각론은 회사 발표 문장 수준에서만 다룹니다.
1.4나노란 — 이름은 같고 구조는 다르다
'1.4나노'는 물리적 선폭이 아니라 세대 이름입니다. TSMC는 2나노(N2) 다음 세대를 A16·A14·A13·A12처럼 옹스트롬(Å) 단위 이름으로 부르고, 삼성은 SF2 다음을 SF1.4, 인텔은 18A 다음을 14A라 부릅니다. 같은 '14'라도 회사마다 트랜지스터 구조·전력 공급 방식·노광 장비 선택이 다릅니다.
- TSMC A14 — 회사 보도자료(2025년 4월 23일 북미 기술 심포지엄)는 A14를 N2 대비 같은 전력에서 최대 15% 속도 향상, 같은 속도에서 최대 30% 전력 절감, 20% 이상 로직 밀도 향상의 차세대 로직 공정으로 소개하며 2028년 양산 계획을 밝혔고(TSMC PR 원문), 2분기 실적 콜에서 웨이저자 회장 겸 CEO는 A14가 "2세대 나노시트 트랜지스터"라고 설명했습니다(TSMC 2Q26 전사본 원문). 후면전력(Super Power Rail)은 A14 자체가 아니라 A16(2027년으로 이동 — 2026년 4월 심포지엄 보도)에 먼저 들어가고, A14 계열 안에서는 확장 노드 A12(2029년)에 도입됩니다(TSMC 2026-04-23 PR 원문 — "A14 platform enhancement A12, which features Super Power Rail"). High-NA EUV는 A13·A12까지 쓰지 않습니다(트렌드포스 4/23·7/16 — 심포지엄·실적 콜 보도).
- 인텔 14A — 2025년 4월 인텔 파운드리 다이렉트 커넥트에서 "선도 고객과 14A 협력 중", 초기 PDK 배포, PowerVia를 잇는 직접 접촉 전력 공급 PowerDirect를 발표했고(인텔 PR), 2세대 RibbonFET에 기존 EUV와 High-NA 양쪽에 호환되는 설계규칙을 둔다는 것이 임원 발언 보도입니다(지디넷 2025-04-30). 인텔은 18A 일부 층에 High-NA를 이미 대량 생산에 쓰고 있습니다(인텔 PR 2026-07-23·09-08 — High-NA 글 참조).
- 삼성 SF1.4 — 공개된 것은 일정과 노광 방향입니다. 2023년 6월 삼성 파운드리 포럼 보도자료는 "SF1.4 양산은 계획대로 2027년에 시작한다"고 했고(삼성 반도체 뉴스룸 2023), 2026년 7월 1일 SAFE 포럼 2026에서 신종신 파운드리사업부 DP개발실 부사장은 "SF1.4는 2029년 양산을 목표로 순조롭게 개발 중이고, 개량형 SF1.4 플러스는 2030년"이라고 밝혔습니다(지디넷 7/1 — 기조연설 인용, 2026 뉴스룸 원문 미열람). 노광은 8월 11일 NGL 2026에서 박창민 반도체연구소 마스터가 "1.4나노 및 1나노 공정까지는 0.33 NA EUV 기반의 멀티 패터닝이 메인스트림"이 될 것이라고 말한 보도가 있습니다(지디넷 8/11 — 주류 방향 발언이며 모든 층의 High-NA 사용 여부를 확정한 것은 아님). 트랜지스터 구조 세부는 이번에 확인한 자료에서는 미확인이라 적지 않습니다.
- 라피더스 — 2나노(IIM-1, 치토세) 양산을 2027년으로 공식화했습니다(회사 사이트·2026-06-05 출자 발표 원문). 1.4나노는 2027 회계연도 팹 착공·2029년 생산 목표라는 보도(톰스 2025-11-25)가 있었지만, 회사는 다음 날 "1.4나노 공장의 건설·가동에 관한 최근 보도는 추측이며 당사에서 나온 것이 아니다"라는 성명을 냈습니다(라피더스 2025-11-26 원문). 경제산업성의 추가 출자 1,500억 엔(6/5)은 2027년 2나노 본격 생산 전환을 위한 것이며 1.4나노 용도는 발표에 없습니다.
TSMC A14 — 회사 기준 2027 위험생산·2028 양산, 그리고 팹25 보도
세 겹을 나눠 읽어야 합니다. 첫째, 회사가 발표한 기준 일정입니다. 2025년 4월 보도자료의 "Planned to enter production in 2028"(TSMC PR 2025-04-23)에 이어, 7월 16일 2분기 실적 콜에서 웨이저자 회장 겸 CEO는 "위험생산은 2027년에 시작하고 양산은 2028년으로 예정돼 있다"고 말했습니다(TSMC 2Q26 전사본 원문). 같은 자리에서 A14의 내부 제품형 시험 칩이 소자 성능 목표의 약 90%와 256Mb SRAM 수율 약 90%를 보였고, 스마트폰·HPC/AI 양쪽에서 고객 관심과 신규 테이프아웃이 일정보다 앞서 진행 중이며, 새 노드를 개발해 캐파를 짓고 램프업하기까지 "5~7년이 걸리고 지름길은 없다"고 했습니다(같은 전사본). High-NA EUV에 대해서는 성숙도와 비용이 중요한 고려 사항이라는 취지의 답변이 보도됐습니다(트렌드포스 7/16). 둘째, 관리국을 인용한 최근 보도입니다. 경제일보(9월 10일)는 중부과학단지 관리국이 9일 확인한 내용으로 "타이중 확장 2기 1.4나노 팹의 첫 번째 공장(P1)은 철골 구조를 마쳤고 내년 4월 장비 시운전(試機)에 들어가며, 내년 하반기 양산이 기대된다"고 전했고, 이는 "당초 2028년 양산 일정보다 크게 앞선 것"이라고 썼습니다(경제일보 9/10 원문). 연합뉴스는 이를 중국시보·경제일보 경유로 옮기며 P1 "내년 4월 완공되면 시험생산", P2는 공사 속도가 빨라 "내년 말 이전에 생산", 건설 공정 "6개월가량" 단축으로 전했고, 관리국 부국장은 P2 완공을 내년 10월께로 말했으며, ASML·TEL·KLA의 타이중 진출은 "한 소식통" 수위입니다(연합 9/10 — 관리국 원문 미열람). 팹25는 4개 공장 규모로 2028년 하반기 양산 목표라는 대만 언론 보도가 지난해부터 있었고(아시아경제 2025-08-29 — 자유시보 인용), 올해 5월 보도는 시운전을 2027년 3분기로 봤습니다(테크월드 5/14 — 업계 분석). 관리국이 함께 밝힌 4개 공장 가동 시 연매출 5,000억 대만달러 초과·일자리 약 4,500개는 예상치입니다. 셋째, 확인되지 않은 것입니다. 관리국 인용 보도의 '하반기 양산 가능성'이 TSMC의 회사 차원 양산 목표 변경으로 이어졌는지는 이번에 확인한 회사 자료(보도자료·2분기 전사본)에 없습니다. 따라서 이 글은 회사 기준 일정(2027 위험생산·2028 양산)과 관리국 인용 보도(2027년 4월 시운전·하반기 양산 가능성)를 나란히 두고, 둘 사이의 관계는 TSMC의 다음 발표(3분기 실적 콜 등)로 확인할 사항으로 남깁니다. 시설 일정(준공·장비 시운전)과 공정 일정(위험생산·양산)은 서로 다른 축이므로, '2027년 1.4나노 생산'이라는 문장은 어느 축의 연도인지를 붙여 읽어야 합니다. 참고로 트렌드포스 집계로 2분기 상위 10개 파운드리 매출은 534.9억 달러(전분기 대비 11.5% 증가), TSMC 점유율 72.5%였고 2나노가 처음 매출에 기여했다고 합니다(트렌드포스 보도자료 9/9). TSMC의 2026년 설비투자 상향(600~640억 달러)은 실적 콜 보도입니다(디일렉 7/17).
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삼성 SF1.4 — 2027에서 2029로, 그리고 노광은 0.33 NA 멀티패터닝
삼성의 SF1.4 일정은 바뀌어 왔습니다. 2023년 6월 삼성 파운드리 포럼 보도자료는 2나노를 2025년 모바일부터 시작하고 "SF1.4 양산은 계획대로 2027년에 시작한다"고 밝혔습니다(삼성 반도체 뉴스룸 2023 원문). 2026년 7월 1일 SAFE 포럼 2026 기조연설에서는 SF1.4 양산 2029년, SF1.4 플러스 2030년, 그리고 2나노가 2027~2028년 SF2P 플러스로 개량된 뒤 SF2X로 이어진다는 순서가 제시됐습니다(지디넷 7/1 — 기조연설 인용). 즉 '2027년'은 과거의 공식 목표였고 '2029년'은 최근 발표를 인용한 보도상 목표입니다 — 이 글은 두 시점을 변경 이력으로 함께 적습니다. 노광 구성은 학회 발언 보도로 방향이 나와 있습니다. 8월 11일 NGL 2026에서 박창민 마스터는 "1.4나노 및 1나노 공정까지는 0.33 NA EUV 기반의 멀티 패터닝이 메인스트림이 될 것"이며 High-NA는 A10(1나노급) 이하부터 필요할 것으로 본다고 말했습니다(지디넷 8/11). High-NA 글에서 정리한 대로 삼성은 2028년 D램 양산에 High-NA를 도입하겠다고 9월 8일 공식 발표했고, 파운드리 적용은 2030년 전후로 관측됩니다. 다만 이 발언은 주류 방향에 관한 것이며 SF1.4의 모든 층이 어떤 노광으로 처리되는지를 확정한 자료는 아닙니다.
인텔 14A — 개발 완료 추진, 생산능력은 수요에 따라
인텔의 14A 시간표는 발언이 여럿입니다. 2025년 4월 다이렉트 커넥트에서 케빈 오버클리 수석부사장은 "2027년부터 생산을 시작할 14A"라고 했고(지디넷 2025-04-30), 2026년 5월 립부 탄 CEO는 PDK 0.5를 1분기에 제공했고 0.9를 10월경 내놓으며 복수 고객과 협의 중이라고 했으며(지디넷 5/21), 8월 26일 도이체방크 기술 콘퍼런스에서 데이비드 진스너 CFO는 14A 결함밀도 개선 속도가 자체 목표보다 좋고 "22나노 이후 이런 성과를 본 적이 없다"고 말했습니다(지디넷 8/30 — 같은 기사는 14A 위험생산을 '이르면 2027년 말'로 설명하는데, 이는 기사의 설명 문장입니다). 진스너 CFO는 같은 자리에서 내부 고객(인텔 제품 그룹)이 14A 기반으로 제품을 설계한다는 사실이 자신감을 줬고 외부 고객과의 협의도 진전이 있다고 했습니다(같은 기사). 회사가 밝힌 기준 일정은 7월 23일 2분기 실적 콜에 있습니다 — 립부 탄 CEO는 "자사 제품용 14A 위험생산은 2027년 하반기로 순항 중이며, 2분기에 2028년 대량생산 램프를 완전히 추진하기로 결정했다"고 말했고, PDK 0.9는 10월 배포 궤도라고 했습니다(인텔 2Q26 실적 콜 전사본). 이 글은 이를 기준으로 '자사 제품 기준 위험생산 2027년 하반기·대량생산 확대 2028년 목표'로 씁니다. 사업 지속 조건은 공시로 읽는 것이 정확합니다. 2026년 2분기 보고서(10-Q)는 "2분기 중 인텔 14A 개발을 완료하기로 결정(committed to completing development)했으며, 다수의 미래 인텔 제품이 이 노드를 쓰도록 설계되고 있고 이 노드 제품 생산을 위한 제조 확장 프로젝트가 진행 중"이라고 명시하고, "제조 확장 프로젝트의 규모와 속도는 인텔 제품 로드맵과 잠재적 대형 외부 고객의 설계 채택에서 확보하는 14A 확정 수요의 양에 따라 결정된다"고 설명합니다(인텔 10-Q 2Q26 원문 — 18A-P는 2026년 6월 자사·외부 고객 제품의 위험생산 진입). 즉 현재 공시의 중심은 '개발 완료 추진 결정'과 '수요에 따른 생산능력 투자 조절'입니다. 1분기 실적 보도자료의 위험 고지 — "잠재적 대형 외부 고객의 설계 채택과 인텔 제품 로드맵을 통해 충분한 확정 수요를 확보하지 못하면 14A 추진을 중단할 수 있다"(인텔 1Q26 PR 원문) — 는 당시 상황을 보여 주는 과거 자료로, 외부 고객과 자사 로드맵을 함께 수요의 근거로 들었다는 점까지 읽어야 합니다. 테라팹은 그 '외부 고객' 후보로 거론됩니다. 인텔은 1분기 실적 보도자료에서 "SpaceX, xAI, Tesla와 함께 테라팹 프로젝트에 전략적 파트너로 참여했다"고 밝혔고(인텔 1Q26 PR 원문), 같은 주 테슬라 1분기 실적 콜에서 머스크 CEO는 "인텔 14A 공정을 쓸 계획… 아직 완전히 완성된 것은 아니지만 테라팹이 규모를 키울 때쯤이면 14A가 상당히 성숙해 있을 것"이라고 말했습니다(톰스 하드웨어 4/23 — 실적 콜 발언 인용). 톰스는 테슬라가 파일럿(약 30억 달러, 월 수천 장), 스페이스X가 대량 생산을 맡는 구조이며 인텔 기술 라이선스 형태일 가능성을 짚었지만, 라이선스 여부·물량·조건은 공개되지 않았습니다. '첫 제품 2028년 중반'은 증권 리서치 전망을 전한 보도이고(연합 9/9), 이 글은 테라팹을 '확정 수주'가 아니라 '전략적 파트너 참여 + 고객 측 발언'으로 적습니다.
겹쳐 보기 — 노광 장비 축과 노드 축
High-NA 글의 장비 시간표 위에 노드를 얹으면 이렇게 됩니다. 인텔은 18A에서 High-NA를 일부 층에 먼저 쓰고 14A에서 양쪽 호환으로 간다(회사 발표). TSMC는 A14(2028)·A13·A12(2029)까지 기존 EUV로 가고 2030년부터 High-NA 대량 양산(심포지엄·ASML 공동 발표). 삼성은 1.4나노·1나노까지 0.33 NA 멀티패터닝이 주류(학회 발언 보도), D램은 2028년 High-NA(공식), 파운드리 High-NA는 2030년 전후 관측, SF1.4는 2029년(기조연설 보도). 라피더스는 2나노 2027년(공식)이고 1.4나노는 회사 발표가 없습니다. 닛케이 아시아(9/8)가 "TSMC·인텔·삼성 모두 ASML 최신 장비에 베팅"이라고 묶은 그림과 같지만, 도입 시점은 인텔 → 삼성 D램 → TSMC 순으로 갈립니다. 미세화가 느려지는 자리를 패키징이 메운다는 것이 첨단 패키징 지도·CoWoS 글의 관점인데, A14 발표가 "5~7년, 지름길 없음"과 나란히 나온 것은 그 관점과 맞닿아 있습니다.
한국 접점 — '진출'과 '수주'는 다른 문장
국내 보도가 팹25 기사에 붙인 'ASML·TEL·KLA 타이중 집결'은 연합 기준으로 "한 소식통" 수위이며, 한국 소재·장비 기업의 팹25 공급을 확인한 자료는 없습니다. 이 글에서 확인 가능한 한국 접점은 두 가지입니다. 첫째, 삼성 파운드리의 SF1.4 2029년 목표와 TSMC A14 2028년의 1년 차이. 2분기 파운드리 점유율은 TSMC 72.5%, 삼성 5.9%였는데(트렌드포스), 노드 시점의 1년 차이보다 고객 확보가 더 큰 변수라는 것은 이 수치가 입증하는 사실이 아니라 편집자의 해석입니다. 둘째, 국내 팹 일정과의 관계 — 용인 클러스터의 전력 공급 시간표와 2나노·1.4나노 라인 계획이 어떻게 맞물리는지는 이번에 확인한 자료에서는 구체적인 연계 계획을 확인하지 못했습니다. 국내 장비·소재사의 1.4나노용 수주는 각사 공시로 확인할 사항입니다.
편집자 판단 — 시설 축과 공정 축으로 나눠 읽기
제 판단으로는 이번 팹25 뉴스는 '앞당겨졌다'는 한 문장으로 읽을 일이 아니라 두 축으로 나눠 읽을 일입니다. 시설 축에서는 클린룸 건설이 빨라져 2027년 4월 시운전이라는 일정이 나왔고, 공정 축에서는 회사가 밝힌 기준이 여전히 2027년 위험생산·2028년 양산이며, 관리국 인용 보도가 말한 '하반기 양산 가능성'을 회사가 목표로 확정했는지는 아직 확인되지 않았습니다. 파운드리에서 새 노드의 성패를 가르는 것은 건물 완공 시점이 아니라 PDK의 완성도와 결함밀도가 내려가는 속도라는 것이 제 견해이고, 웨이 회장이 "5~7년, 지름길 없음"이라고 말한 것도 같은 맥락으로 읽힙니다. 세 회사의 일정은 수위가 다릅니다 — TSMC는 실적 콜과 보도자료로 2027년 위험생산·2028년 양산을, 인텔은 실적 콜로 자사 제품 기준 2027년 하반기 위험생산·2028년 대량생산 확대를 밝히되 생산능력 투자는 자사 로드맵과 외부 고객의 확정 수요에 따라 조절하겠다고 공시했으며, 삼성은 2027년이던 목표를 2029년으로 옮긴 뒤 노광 방향(0.33 NA 멀티패터닝)까지 학회에서 밝힌 상태입니다. 그래서 다음 채점표는 연도가 아니라 세 가지 확인입니다 — TSMC가 다음 실적 콜에서 A14 일정을 어떻게 말하느냐(팹25 시운전 보도와 A14 위험생산·양산 목표의 관계), 인텔 14A PDK 0.9(10월경) 배포 뒤 외부 고객 공식 발표가 나오느냐, 삼성이 SF1.4의 구조를 공개하느냐. 셋 중 하나라도 회사 발표로 확정되면 이 글을 갱신합니다.